Un semi-conducteur dopé N est un semi-conducteur dans lequel on a inséré des atomes (les impuretés) qui ont un électron de plus que les atomes "normaux" du matériau. Ces électrons là ont plus de facilité à bouger, ce qui fait qu'un semi-conducteur dopé N n'est plus un isolant (ou si peu) : il a des électrons libres en permanence.
Dans un semi-conducteur dopé P, on a remplacé quelques atomes de silicium par des atomes qui ont un électron de moins. Bref, on a introduit des trous dans le semi-conducteur ! Du coup, il se comporte comme un conducteur et plus comme un isolant. Quand un électron et un trou se rencontrent, l'électron peut combler le trou. Dans ce cas, il faut qu'il perde de l'énergie : un électron libre a beaucoup plus d'énergie qu'un électron qui ne peut pas participer à la conduction. Cette énergie, il peut s'en débarrasser soit en la transformant en chaleur (c'est à dire en agitation thermique des constituants du semi-conducteur) soit en lumière. Ca dépend du type de semi-conducteur. Pour le silicium, c'est surtout en chaleur. Mais pour d'autres semi-conducteurs, comme l'Arséniure de Gallium, c'est plutôt la lumière qui est favorisée. C'est d'ailleurs comme ça que les semi-conducteurs peuvent émettre de la lumière (dans les LED ou diodes électro-luminescentes).
En tous les cas, dans un semi-conducteur dopé N, les quelques trous qui sont créés par agitation thermique sont très vite comblés : il y a en effet beaucoup d'électrons libres prêts à boucher le trou !
Dans un semi-conducteur dopé P, c'est le contraire : les quelques électrons libres sont vite rattrapés par les trous, largement majoritaires. Ils sont donc très peu nombreux (moins que dans un semi-conducteur non dopé).